第319章 335：降低芯片70%制造成本

NIL纳米压印设备在能耗方面相比EUV可以降低90%。

同时由于转换率更好研发成本更低，比EUV研发成本降低60%左右，所以纳米压印也被视为目前最有可能替代EUV实现7纳米以下制程的一项主流的光刻技术。

既然纳米压印技术有如此多的优点，为何从1995年提出以来，至今已经发展了二十年，一直没有实现真正的大规模应用呢？

主要有三大难点需要解决。

首先第一个难点就是模板制作问题，如果想要得到EUV光刻量级的加工精度，模板本身尺寸要做得非常小，模板的制备对于加工工艺要求极高，需要确保有非常完美的平整度和误差。

同时纳米压印技术对于模板的材料选择也是极为苛刻。

不仅需要有较高的强度、机械强度和抗腐蚀性，同时需要确保在高温下非常小的膨胀系数，以做到反复印制的要求。

根据工艺要求不同目前有硅质模板、石英模板、镍模板和聚合物、PDMS、复合模板等等。

第二个关键技术难点是在压印胶方面，与传统光刻胶不同，NIL所需要的压印胶，需要具有与基底良好的结合力、低粘黏度以顺利完成整个脱胶过程。

同时需要收缩度小、涂覆性强等特点。

经过二十年的探索纳米压印胶还依然处于不断探索和优化阶段。

最后一个难点是在压印和刻蚀设备方面。

我们看出纳米压印方式与传统光刻方式是走了一个截然不同的道路。

理想的情况需要整个压印和刻蚀过程不能出现任何气泡、变形、还有粘连情况。

对于涂胶的均匀度设备的稳定性都有很高的要求。

即使是非常细微的震动和机械误差都会造成良品率大幅度下降。

特别是生产复杂结构的逻辑芯片，想要攻克加工偏差的问题，短期内是无法实现的。

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想要拥有整套NIL纳米压印技术，就必须要购买相应配套技术才行。

除了NIL纳米压印设备以外，还需要购买压印胶技术和刻蚀设备。

NIL纳米压印设备设备所需要的声望值并不高，只需要十亿声望值就可以把它拿下来，但是它的研究费用和研发时间十分可怕。

需要三年的研发时间和五十亿研发费用。

因为NIL纳米压印和EUV光刻技术不一样，EUV光刻技术已经拥有完整生产链，NIL纳米压印大部分的技术只能自行研发。

这也是项技术研发周期长费用高的原因。